研究：适度电刺激大脑或可提升数学能力

近年来，多项研究表明适度电刺激大脑对提升数学能力具有一定潜力，相关研究如下：萨里大学等多机构联合研究：萨里大学、牛津大学、拉夫堡大学和荷兰拉德堡德大学的研究人员在《PLOS Biology》上发表了一项研究成果。他们招募了102名参与者，将其分为四组，对其中两组分别进行高频随机电噪声刺激（学习组和过度学习组），另外两组则处于假刺激的安慰剂条件下。结果发现，对大脑额叶进行电噪声刺激可以提高在施加刺激之前大脑对数学不太兴奋的人的数学能力，而初始评估期间大脑兴奋水平较高的人，数学成绩未得到改善。研究人员认为，电噪声刺激可能作用于大脑中的钠通道，干扰神经元的细胞膜，从而增加皮质的兴奋性。萨里大学Roi Cohen Kadosh团队研究：萨里大学的Roi Cohen Kadosh团队联合多机构研究者采用多模态方法，整合功能磁共振（fMRI）、磁共振波谱（MRS）和双盲电刺激实验进行研究。结果显示，背外侧前额叶皮层（dlPFC）与后顶叶皮层（PPC）的基线连接强度可预测计算表现。对dlPFC施加经颅随机噪声刺激（tRNS）时，低连接组通过降低抑制性神经递质GABA水平实现神经可塑性增强，数学成绩提升至与高连接组相当。该研究表明，tRNS可针对性提升低表现者的数学能力达29%，其效果取决于大脑前顶叶连接强度与GABA神经递质变化。牛津大学研究团队研究：牛津大学科学家领导的团队曾进行相关实验，每天对志愿者大脑顶叶进行30分钟的轻微电击刺激，持续一周。结果发现，志愿者比以前能更快更有效地接受数学技能。原因可能是电流使相关脑区域产生了促使脑细胞发育或改变的化学物质，从而提高了数学技能。